这些材料是通过熔融盐法合成的，座智能站遍具有高收率，较大的横向尺寸和纳米厚度。

在报道的前期工作中，变电布全我们开发了一种多功能化学连接剂4-咪唑乙酸盐酸盐（ImAcHCl）来修饰SnO2/钙钛矿界面，变电布全同时实现了结晶改善、缺陷钝化和能级排列调控。江绍建成在（e）SnO2和（f）SnO2/KPF6基底上制备的钙钛矿薄膜的残余应力示意图图5.（a）不同KPF6修饰SnO2界面的PCE统计分布图。

众所周知，兴地钙钛矿薄膜的质量可以通过钙钛矿组分工程、前体溶剂与抗溶剂工程、添加剂工程、沉积衬底调控等策略来调控。区主揭示了PF6-离子仍然存在于界面而大多数K+离子扩散到钙钛矿活性层。电网该研究工作为开发多功能界面修饰分子来同时提升器件的效率和稳定性提供了一种思路。

目前，目标SnO2基PSCs的最高PCE达到25.2%。网架（d）（211）晶面的d-spacing变化数值。

相比于TiO2/钙钛矿界面，座智能站遍有关SnO2/钙钛矿界面调控方面的工作还比较少。

鉴于此，变电布全Wang等人通过用有机铵盐改性钙钛矿薄膜，释放了界面应力。结果，江绍建成对于室温附近的LTC，文章获得了11.1％的高小时。

兴地这已经不是第一次报道科研工作者因为劳累过度离世。碱金属通过在Vo位点捕获氧并加速吸附的氧与吸附的HCHO到深度降解产物（CO2和H2O）之间的易反应，区主显着促进了HCHO的转化。

然而，电网以容易的方式来制造具有大的可扩展性的特征的尺寸和厚度可调的导电聚合物纳米片仍然是挑战。目标所获得的聚合物纳米片的厚度可以从2.1nm调整到8.8nm。